1400C Sic 가열 막대의 다양한 모양
실리콘 카바이드 내 산화성
탄화 규소 발열체가 800 ° C 에서 공기 중으로 산화되기 시작하면 온도는 100-1200 ° C 에 이르고 실리콘 이산화물 보호막의 발열 부 표면층은 1200 ° C 에서 1400 ° C 에서 크리스토발라이트가 결정화 되면 보호막 일정한 두께에 도달하여 산화 속도가 매우 느린 성분으로 안정화된다. 계속해서 1527 ° C 까지 가열 하면 보호 필름이 손상되어 산화 속도가 크게 빨라져 조기 손상이 발생합니다.
사용 중 탄화 규소 발열체는 산화가 극도로 느리지 만 장기간 지속되는 경우에도 여전히 증가 된 저항을 일으키지 만 노화 현상이 나타납니다.
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